矽進有限公司

矽進有限公司的商業公司登記資料
統一編號16286277
登記地址臺北市大安區瑞安街214巷1號7樓之1 || 地圖
縣市鄉里臺北市 大安區 瑞安街
登記機關臺北市政府
設立日期1997-12-04
變更日期2004-04-14
資本額總額5,000,000元
公司狀態解散 (093年04月14日 府建商字 第09307969610號)
登記種類公司登記

矽進有限公司的簡介

矽進有限公司位於臺北市大安區,營業登記地址:臺北市大安區瑞安街214巷1號7樓之1,矽進有限公司的統一編號:16286277,矽進有限公司的負責人將此店家登記為公司登記,資本額:5,000,000元,成立時間於1997-12-04登記設立,商業司營業登記狀態:解散 (093年04月14日 府建商字 第09307969610號)。

矽進有限公司經濟部商業司登記所營事業項目

F401010,國際貿易業。

名稱 矽進 - 政府開放資料

(以下顯示 8 筆) (或要: 所有 矽進)

太陽能電池極高純度矽精煉及純化技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後,其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 | 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽(純度99.5%)作為原料,透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程,成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料(純度99.999%)。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

超高純度材料純化技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後,其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 | 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽(純度99.5%)作為原料,透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程,成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料(純度99.999%)。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

介孔二氧化矽表面改質技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比表面積:151~661m2/g,孔徑:4.6~8.2nm | 潛力預估: 本計畫將改質的介孔二氧化矽作為軟板(Polyimides)的填充材料,使得高頻通訊用軟板的介電常數值小於2.8(測試頻率為1MHz),且其介電常數值可藉由低介電填充材料的添加量加以控制,此結果優於美國...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

Cu為催化劑對鑽石線切割多晶矽進行織構化之表面形貌與電性

作者: 施品全 | 指導教授: 王行達 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 106 | 論文名稱(外文): Texturization of diamond-wire-sawn multicrystalline silicon : surface morphology and electric proper... | 系所名稱: 材料科技研究所 | 學校名稱: 國立雲林科技大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

使用 Cu 為金屬催化劑 對鑽石線切割多晶矽進行表面織構化

作者: 陳琦廣 | 指導教授: 王行達 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 106 | 論文名稱(外文): Texturization of diamond-wire-sawn multicrystalline silicon by using Cu as catalyst | 系所名稱: 材料科技研究所 | 學校名稱: 國立雲林科技大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以鹼溶液及銅基酸溶液對鑽石線切割單晶矽進行織構化

作者: 蔡程宇 | 指導教授: 王行達 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 107 | 論文名稱(外文): Texturization of Diamond-Wire-Sawn Single-Crystalline Si Using Alkaline and Copper Based Acid Soluti... | 系所名稱: 材料科技研究所 | 學校名稱: 國立雲林科技大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以高溫銅基酸溶液對鑽石線切割單晶矽進行織構化

作者: 莊承堯 | 指導教授: 王行達 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 107 | 論文名稱(外文): Texturization of diamond-wire-sawn single-crystalline Si using high temperature copper based acid so... | 系所名稱: 材料科技研究所 | 學校名稱: 國立雲林科技大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以雷射壕溝對多孔矽進行直接構圖 並改善其光致發光特性及其表面分析

作者: 江泰霖 | 指導教授: 林嘉洤 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 108 | 論文名稱(外文): Laser Trench Method for Direct Patterning on Porous Silicon and Its Photoluminescence Improvement wi... | 系所名稱: 電機工程學系 | 學校名稱: 國立臺北大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

太陽能電池極高純度矽精煉及純化技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術四年計畫 | 領域: | 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後,其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 | 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽(純度99.5%)作為原料,透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程,成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料(純度99.999%)。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

超高純度材料純化技術

執行單位: 工研院材料所 | 產出年度: 94 | 產出單位: | 計畫名稱: 高性能金屬材料技術三年計畫 | 領域: | 技術規格: 冶金級矽經過此一製程技術之後,其純度將由原先之99.5%到達99.999%以上。 | 潛力預估: 以單價1 USD/Kg之冶金級矽(純度99.5%)作為原料,透過製粉、浸蝕、方向性凝固等純化製程,成為30 USD/Kg高附加價值的太陽電池級多晶矽原料(純度99.999%)。

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

介孔二氧化矽表面改質技術

執行單位: 工研院化工所 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 高分子奈米材料與光電應用四年計畫 | 領域: | 技術規格: 比表面積:151~661m2/g,孔徑:4.6~8.2nm | 潛力預估: 本計畫將改質的介孔二氧化矽作為軟板(Polyimides)的填充材料,使得高頻通訊用軟板的介電常數值小於2.8(測試頻率為1MHz),且其介電常數值可藉由低介電填充材料的添加量加以控制,此結果優於美國...

@ 經濟部產業技術司可移轉技術資料集

Cu為催化劑對鑽石線切割多晶矽進行織構化之表面形貌與電性

作者: 施品全 | 指導教授: 王行達 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 106 | 論文名稱(外文): Texturization of diamond-wire-sawn multicrystalline silicon : surface morphology and electric proper... | 系所名稱: 材料科技研究所 | 學校名稱: 國立雲林科技大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

使用 Cu 為金屬催化劑 對鑽石線切割多晶矽進行表面織構化

作者: 陳琦廣 | 指導教授: 王行達 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 106 | 論文名稱(外文): Texturization of diamond-wire-sawn multicrystalline silicon by using Cu as catalyst | 系所名稱: 材料科技研究所 | 學校名稱: 國立雲林科技大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以鹼溶液及銅基酸溶液對鑽石線切割單晶矽進行織構化

作者: 蔡程宇 | 指導教授: 王行達 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 107 | 論文名稱(外文): Texturization of Diamond-Wire-Sawn Single-Crystalline Si Using Alkaline and Copper Based Acid Soluti... | 系所名稱: 材料科技研究所 | 學校名稱: 國立雲林科技大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以高溫銅基酸溶液對鑽石線切割單晶矽進行織構化

作者: 莊承堯 | 指導教授: 王行達 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 107 | 論文名稱(外文): Texturization of diamond-wire-sawn single-crystalline Si using high temperature copper based acid so... | 系所名稱: 材料科技研究所 | 學校名稱: 國立雲林科技大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

以雷射壕溝對多孔矽進行直接構圖 並改善其光致發光特性及其表面分析

作者: 江泰霖 | 指導教授: 林嘉洤 | 學位類別: 碩士 | 畢業學年度: 108 | 論文名稱(外文): Laser Trench Method for Direct Patterning on Porous Silicon and Its Photoluminescence Improvement wi... | 系所名稱: 電機工程學系 | 學校名稱: 國立臺北大學

@ 國家圖書館臺灣博碩士論文知識加值系統

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矽進有限公司的地址位於

臺北市大安區瑞安街214巷1號7樓之1
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