興記有限公司

■ 記錄於 102年07月公司設立登記清單

■ 記錄於 103年10月公司變更登記清單

■ 記錄於 105年05月公司變更登記清單

■ 記錄於 109年01月公司變更登記清單

■ 記錄於 109年03月公司變更登記清單

■ 記錄於 109年09月公司變更登記清單

興記有限公司

公司統一編號: 54339970 | 登錄項目: 公司/商業登記 | 台北市中正區金山南路1段122號 | 食品業者登錄字號: A-154339970-00000-8

臺中線震災復興記念碑

開放時間: 隨時可參觀 | | 電話: 886-4-25562116 | 地址: 臺中市421后里區泰安村泰安車站側

黃信堅宅

1 | 開放時間: | 現狀: 1.外牆滲漬汙損 2.疊樓灰泥線腳些微裂隙 3.磚體表層風化 | 歷史沿革: 建築約於民國20-23年（1931-1934）創建及竣工，為日本重要商僑黃信堅（1900-1983）匯款回鄉所建。黃信堅家族出洋發展始於清光緒元年（1875），由祖父黃禮蘭（又名禮延）自金門到日本神戶...

高性能非揮發性記憶體技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 104 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: (1)電阻式記憶體元件操作電壓 | 潛力預估: 電阻式記憶體(RRAM)為次世代非揮發性記憶體中的一種，結構簡單並與CMOS製程高度相容，具有操作電壓低、寫入與抹除時間短、記憶時間長、多位準記憶、與元件面積可持續縮小等優點，是未來新興記憶體中具備高...

東興市場-興記蛋行

公司統一編號: | 登錄項目: 公司/商業登記 | 台中市北區東興市場 | 食品業者登錄字號: B-200191741-00000-3

相變化記憶體元件與製程技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 93 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院創新前瞻技術研究計畫 | 領域: | 技術規格: 提升相變化薄膜與電極之間的附著力達到 40Mpa、設計縮減記憶胞之電極接觸面積小於 8750nm2。 | 潛力預估: OUM是未來可取代Flash之新興記憶體，最令人注目的新記憶體，成長空間極大

電阻式記憶體技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 工研院環境建構總計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 開發X-point RRAM (1S1R device)：I(V)/I(V/2)≧100，I≦100uA，Cell size ≦4F^2，Half pitch ≦0.18um | 潛力預估: 成功的以創新的元件結構突破過去電阻式記憶體發展的瓶頸，除了將工研院研發電阻式記憶體的成果推向國際領先者，也讓電阻式記憶體的特性超越快閃記憶體以及其他新興記憶體技術。

電阻式記憶體技術

執行單位: 工研院電光所 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: 開發X-point RRAM (1S1R device)：I(V)/I(V/2)≧100，I≦100uA，Cell size ≦4F^2，Half pitch ≦0.18um | 潛力預估: 成功的以創新的元件結構突破過去電阻式記憶體發展的瓶頸，除了將工研院研發電阻式記憶體的成果推向國際領先者，也讓電阻式記憶體的特性超越快閃記憶體以及其他新興記憶體技術。

高性能非揮發性記憶體技術

執行單位: 工研院院本部 | 產出年度: 103 | 產出單位: | 計畫名稱: 智慧手持裝置核心技術攻堅計畫 | 領域: 智慧科技 | 技術規格: (1)高性能NVM元件與測試晶片設計驗證，其Formless 元件，只需2.5V即可完成Forming (2)晶片之規格達到write time: 480ns(≦500ns), VDD≦2.5V(≦3... | 潛力預估: 以創新之元件結構突破過去電阻式記憶體發展的瓶頸，除了將工研院研發電阻式記憶體的成果推向國際領先者，也讓電阻式記憶體的特性超越快閃記憶體以及其他新興記憶體技術。

7/19(二) 新創必知的專利保護與申請

聯絡方式: 0800-589168 #2 | 是否收費: | 活動地點: 仁愛路三段99號 (社會創新實驗中心1樓107教室) | 開始日期: 20220719 | 結束日期: 20220719 | 發起單位: 新創基地 張小姐 | 主辦單位: 經濟部智慧財產局、經濟部中小企業處

許家華律師事務所

OID: 2.16.886.110.90003.105764 | 電話: 02-25553930 | 地址: 臺北市中山區南京東路二段111號9樓之5 | DN: o=許家華律師事務所,l=臺北市,c=TW